三极管工作原理？
首先需要明确，三极管有三个电极（集电极、基极、发射极），有两个结（集电极与基极之间的集电结、基极与发射极之间的发射结）。而正偏、反偏只是针对那两个结来说的。
题目中，三极管的类型已经从发射极的箭头表明了。箭头指向基极的，是PNP型晶体管；箭头从基极出来的，是NPN型晶体管，这个比较简单，应该学过的吧。
判断一个晶体管工作在什么状态，主要取决于两点：1、发射结正偏还是反偏，决定了它是导通还是截止；2、集电极与发射极之间的电压，决定了它是工作在放大状态还是饱和状态（其间压差接近或小于0.2V则饱和，远大于0.2V则放大）。
比如上图中的a)，先确定属于NPN型晶体管，发射结为正偏（基极电位0.7V高于发射极电位0V），集电极电位与发射极电位之差为5V-0V=5V，远大于0.2V。所以，该电路工作在放大状态。
再比如图中的f) ，先确定属于PNP型晶体管，发射结为反偏（基极电位0.3V高于发射极电位0V），集电极电位与发射极电位之差为-5V-0V=-5V，远大于0.2V。因为发射结反偏，该电路将工作在截止状态。其余以此类推。。。。。。
三极管的工作原理是什么？
晶体三极管是由两块N或p型二极管、中间夹着一层P或N型二极管构成，分为集电极、基极、发射极。集电极负责补充能量，基极负责触发控制，发射极负责输出。由于它的特殊构造，在发射区内注入的电子量是基极电子量的数倍，当基极信号电流开通，触动发射极电流发射，如基极进入一个电子，发射极流出的可能是几个或几百个电子，从而实现所谓的电流放大。（1）为了便于发射结发射电子，发射区半导体的掺杂溶度远高于基区半导体的掺杂溶度，且发射结的面积较小。（2）发射区和集电区虽为同一性质的掺杂半导体，但发射区的掺杂溶度要高于集电区的掺杂溶度，且集电结的面积要比发射结的面积大，便于收集电子。（3）联系发射结和集电结两个PN结的基区非常薄，且掺杂溶度也很低。扩展资料：工作状态（1）截止状态当加在三极管发射结的电压小于PN结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。（2）放大状态当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数β=ΔIc/ΔIb，这时三极管处放大状态。（3）饱和导通当加在三极管发射结的电压大于PN结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。参考资料来源：百度百科-三极管
