晶体二极管具有什么特性
晶体二极管具有单向导电性。1.正向特性指二极管加上正向电压时电流和电压的关系。当二极管两端所加的正向电压由零逐渐增大时,开始时正向电流很小,几乎为零,二极管呈现很大的电阻,这个区域称为死区。硅二极管死区电压约为0. 5V;锗二极管死区电压约0. 2V。在实际使用中,当二极管正偏电压小于死区电压时,视为其正向电流为零的状态。外加电压超过死区电压后,正向电流开始出现,直到等于导通电压,正向电流迅速增加,这时二极管处于正向导通状态。硅管的导通电压为0.6-0. 7V,锗管的导通电压为0.2-0.3V。2.反向特性指二极管加反向电压时电流和电压的关系。当给二极管加反向电压时,形成的反向电流很小,而且在很大范围内基本不随反向电压的变化而变化,故这个区域称为反向截止区。反向截止时通过的电流称为反向饱和电流,通常硅管有几微安到几十微安;锗管有几十微安到几百微安。这个电流是衡量二极管质量优劣的重要参数,其值越小,二极管质量越好。一般情况下可以忽略反向饱和电流,认为二极管反向不导通。如果反向电压不断增大到一定值时,反向电流会突然增大,这种现象称为反向击穿,这时二极管两端所加的电压称为反向击穿电压。普通二极管正常使用时,是不允许出现这种现象的。
晶体二极管具有哪些特性
1、正向特性,当加在二极管两端的正向电压很小时,管子不导通,处于截止状态,当正向电压超过一定数值后,管子才导通,电压再稍微增大,电流急剧暗加。2、反向特性,二极管两端加上反向电压时,反向电流很小,当反向电压逐渐增加时,反向电流基本保持不变,这时的电流称为反向饱和电流。3、击穿特性,当反向电压增加到某一数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿,这时的反向电压称为反向击穿电压。4、频率特性,由于结电容的存在,当频率高到某一程度时,容抗小到使PN结短路,导致二极管失去单向导电性,不能工作,PN结面积越大,结电容也越大,越不能在高频情况下工作。